Sexta-feira, 20 de Fevereiro de 2009
Governo Federal destina R$ 40 milhões para centro de desenvolvimento de circuitos integrados no Rio Grande do Sul
O presidente Luiz Inácio Lula da Silva anunciou nesta quinta-feira (19 de fevereiro) o aporte de R$ 40 milhões para o Ceitec (Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada), empresa pública criada em 2008 que irá produzir semicondutores e sistemas de circuitos integrados. O CEITEC está sendo instalado em um complexo de 14.600 m², construído em uma área de aproximadamente 5,6 ha , localizado na Estrada João de Oliveira Remião, nº 777, bairro Agronomia, em Porto Alegre/RS.
A empresa deve produzir circuitos integrados em pequena escala e irá formar e estimular a formação de mão-de-obra especializada. A expectativa é de que a produção da tecnologia também tenha o efeito de atrair para o país empresas de áreas como informática e telefonia.
O governo federal investiu inicialmente R$ 270 milhões na construção e nas instalações do prédio da Ceitec, em Porto Alegre. A instalação será inaugurada em julho. A expectativa, de acordo com o Ministério de Ciência e Tecnologia, é que seja formado um total de 1.500 profissionais até 2010 para atuarem no centro.
O anúncio dos recursos foi feito em cerimônia reservada, no Palácio do Planalto, com a participação do ministro de Ciência e Tecnologia, Sérgio Rezende. Na ocasião foi empossado o presidente da Ceitec, Eduard Weichselbaumer.
A partir da assinatura de um acordo estratégico de licenciamento para troca de tecnologia com a foundry alemã X-Fab, o CEITEC está autorizado a utilizar o processo de fabricação com tecnologia estado da arte de 0,6 mícron, o qual é totalmente compatível com o utilizado pela X-Fab, incluindo o design kit (interface com as demais Design Houses).
O processo será utilizado em aplicações automotivas, industriais e de gerenciamento de potência com possível extensão para dispositivos optoeletrônicos e sistemas microeletromecânicos.
A tecnologia utilizada será o processo Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS mixed signal com comprimento de canal de 0,6 µm, 3 níveis de metalização, memória volátil (EEPROM) embarcada, resistores de silício de alta resistividade e diodos Schottky.
Este método será usado para a prototipagem de circuitos digitais, analógicos ou mixed-signal, em lâminas de silício de 150 mm de diâmetro.
Posteriormente, o projeto prevê a evolução deste procedimento através da implantação de equipamentos de processo para a prototipagem de circuitos integrados com comprimento de canal de 0,35µm.
Fonte: Agência Brasil + CEITEC + Folha Online
© E.L.M.Mehl 07:53h - Click for Permalink - A empresa deve produzir circuitos integrados em pequena escala e irá formar e estimular a formação de mão-de-obra especializada. A expectativa é de que a produção da tecnologia também tenha o efeito de atrair para o país empresas de áreas como informática e telefonia.
O governo federal investiu inicialmente R$ 270 milhões na construção e nas instalações do prédio da Ceitec, em Porto Alegre. A instalação será inaugurada em julho. A expectativa, de acordo com o Ministério de Ciência e Tecnologia, é que seja formado um total de 1.500 profissionais até 2010 para atuarem no centro.
O anúncio dos recursos foi feito em cerimônia reservada, no Palácio do Planalto, com a participação do ministro de Ciência e Tecnologia, Sérgio Rezende. Na ocasião foi empossado o presidente da Ceitec, Eduard Weichselbaumer.
A partir da assinatura de um acordo estratégico de licenciamento para troca de tecnologia com a foundry alemã X-Fab, o CEITEC está autorizado a utilizar o processo de fabricação com tecnologia estado da arte de 0,6 mícron, o qual é totalmente compatível com o utilizado pela X-Fab, incluindo o design kit (interface com as demais Design Houses).
O processo será utilizado em aplicações automotivas, industriais e de gerenciamento de potência com possível extensão para dispositivos optoeletrônicos e sistemas microeletromecânicos.
A tecnologia utilizada será o processo Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS mixed signal com comprimento de canal de 0,6 µm, 3 níveis de metalização, memória volátil (EEPROM) embarcada, resistores de silício de alta resistividade e diodos Schottky.
Este método será usado para a prototipagem de circuitos digitais, analógicos ou mixed-signal, em lâminas de silício de 150 mm de diâmetro.
Posteriormente, o projeto prevê a evolução deste procedimento através da implantação de equipamentos de processo para a prototipagem de circuitos integrados com comprimento de canal de 0,35µm.
Fonte: Agência Brasil + CEITEC + Folha Online
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