O fototransistor possui
os princípios fundamentais de dispositivos fotossensíveis
já descritos.
O fato é que o
fototransistor tem uma junção P-N coletor-base fotossensível,
cuja corrente induzida por efeitos fotoelétricos é a corrente
de base do transistor. Se atribuirmos a notação I
para a corrente de base fotoinduzida, a corrente de coletor resultante,
numa base aproximada, é:
Ic = hƒe.I
A corrente coletor-base
surge devido aos portadores minoritários termicamente gerados nos
materiais P e N. A aplicação de luz na junção
provoca uma transferência de energia das ondas de luz incidente (na
forma de fótons) à estrutura atômica, aumentando, com
isto, o número de portadores minoritários e consequentemente
o nível de corrente na base.
Um aumento na intensidade
da luz resulta em um aumento proporcional na corrente de base.
A corrente escura é
o nível de corrente na situação em que não
há iluminação.
Alguns fototransistores
possuem encapsulamento com lentes para concentrar a luz na região
da junção.
A diversidade de modelos
de fototransistores que variam suas características conforme o tipo
de aplicação, assim também como há uma variedade
de fabricantes, como: EG&G Optoeletronics,
Texas Instruments, Motorola, Siemens
e outros.
Uma das diferenças
mais significativas entre fototransistores esta na faixa de comprimento
de onda da luz incidente sobre o fototransistor. É esta diferença
que irá separar fototransistor que atuam na faixa de luz visível
e infravermelho.